Durch die Vielzahl an Materialien für III-V-Verbindungshalbleiter muss eine tägliche Kontrolle und Nachverfolgung erfolgen in Bezug auf die Materialqualität, die Abscheidungsdicke und die Strukturgröße der anspruchsvollen Materialien GaN, GaAs, LiNbO3, InP, Saphir und SiC. Heute kommen diese Materialien in großem Umfang zur Reduzierung des Energieverbrauchs zum Einsatz und werden selbst bei der Standard-Halbleiterfertigung zunehmend verwendet. Bei einigen Anlagen werden II-V-Materialien zusätzlich zu den herkömmlich verwendeten Halbleitermaterialien hinzugefügt, um den Stromverbrauch zu optimieren oder den Austausch im Gerät zu beschleunigen. Diese Materialien wirken sich also direkt auf die Ausbeute des fertig gestellten Bauteils und auf die Messungen aus, entweder in bestimmten Zellen oder im Gerät als In-Chip-Messungen, und spielen bei der Renditeberechnung eine entscheidende Rolle.
ONTO Innovation legt mit seiner Marke einen ständigen Fokus auf die Lieferung von Messtechnik mit höchster Flexibilität und Präzision, die für eine große Anzahl von zentralen Prozessschritten ausgelegt ist, und es somit dem Kunden ermöglicht, sich auf die Leistungsstärke seiner Geräte zu konzentrieren.
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